展长勇（1981年出生），副研究员，硕士生导师，工学博士。2010年毕业于四川大学原子核科学技术研究所核技术及应用专业，2008-2009年在香港城市大学（City University of Hong Kong）学习1年，2013-2014年在巴黎第十一大学（Université Paris-Sud）做访问学者1年。长期从事材料改性研究，获得国家自然科学基金和相关国家军工单位的项目支持。目前主要研究新型半导体材料在核技术探测和传感领域的应用，擅长表面、界面的改性和微观机理研究。在Int. J. Hydrogen Energ.、Appl. Surf. Sci.、Micropor. Mesopor. Mater. 等国内外知名刊物上发表学术论文10余篇，获得授权专利多项。
研究工作 
       探测和传感材料改性 
       荷能束改性技术及辐照效应 
       功能薄膜材料研究 
代表性论文
1. C Y Zhan, Y Zou, W Jiang, X Q Fan, Yong Jiang, Q J Feng, X L Li, H Sun, J C Wu, Study of electrical current reconstruction on macropore arrays etched electrochemically on lightly-doped n-Si, Appl. Surf. Sci. 2016, 362: 538–544..
2. C Y Zhan, Y Zou, J C Wu, D Ren, B Liu, K F Huo, N K Huang, P K Chu，Self-sealing SiO2 pores on silicon formed by oxidation of microporous silicon，Microporous and Mesoporous Materials 174 (2013) 10–13
3. CY Zhan, Y Zou, J C Wu, P K Chu, Fabrication of Porous Silicon Nanotips by Using Argon Ion-beam Irradiation, Journal of the Korean Physical Society, 2013, 63(2), 206-208. 
4. XQ Fan, Y Jiang, CY Zhan*, Y Zou, J C Wu, N K Huang, Effect of electrochemical etching current on prepared perforated silicon structures for neutron detectors, Front. Mater. Sci., 2013, 7(1): 96-101 
5. CY Zhan, PK Chu, D Ren, YC Xin, KF Huo, Y Zou, NK Huang, Release of hydrogen during transformation from porous silicon to silicon oxide at normal temperature, Int. J. Hydrogen Energ., 2011, 36: 4513-4517. 
6. CY Zhan, LW Wang, HY Dai, NK Huang, JQ Wang, Design and transmittance measurement of the Ge1-xCx antireflection coatings, J. Korea Phys. Soc., 2008, 52: S13-S16. 
7. CY Zhan, LW Wang, NK Huang, Analysis of the Ge1-xCx films deposited by MFMST, Appl. Surf. Sci., 2007, 253: 7478-7482. 
8. CY Zhan, LW Wang, NK Huang, Effect of bias on content of GeC in Ge1-xCx films, Chin. Phys. Lett., 2007, 24(3): 803-806.
授权专利
1. 展长勇，任丁，邹宇，刘波，林黎蔚，黄宁康，一种新型多孔硅及其制备方法，专利号ZL 201110344679.2 
2. 展长勇，邹宇，任丁，伍建春，刘波，一种微型氚电池及其制备方法，专利号ZL 201210230553.7
联系方式 
       邮箱zhanchangyong@scu.edu.cn   
       电话028-85412230.