邮箱:renpp2017@scu.edu.cn
地址:成都市武侯区望江路29号四川大学原子核科学技术研究所内
邮编:610064
任丁,男,1978年6月生,博士,硕士生导师,副研究员。1999年毕业于吉林大学电子材料与元器件专业;同年,赴日本东芝公司液晶事业部研习薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的生产工艺,回国后在吉林彩晶数码高科显示器有限公司从事TFT-LCD生产及管理方面的工作;2002-2004年,先后在上海采晶光电股份有限公司、上海华敏光电股份有限公司从事企业管理;2004-2009年,在四川大学原子核科学技术研究所获核技术及应用专业博士学位。现为四川大学原子核科学技术研究所助理研究员,《Journal of Non-crystalline Solids》杂志刊审稿人。
主要从事功能薄膜、材料改性及辐照方面的研究。先后主持或参与总装备部863创新、科技部ITER专项、九院院外基金等项目5项,获省部级科技进步奖1项,发表学术论文10余篇,其中SCI收录6篇。
主要研究领域:
(1)新型微电池及系统集成;
(2)功能薄膜的制备及应用;
(3)材料表面改性及辐照损伤。
代表性论文或成果:
1、D. Ren, J.F. Du, N.K. Huang, et al., Study in the effect of annealing on hydrogen retention properties of C-90%SiC films, Surf. Interface Anal., 2008, 40: 121-124
2.、D. Ren, Y.G. Liu, N.K. Huang, Chemical Bonding States of TiC Films before and after Hydrogen Ion Irradiation, J. Wuhan Univ. Technol., 2008, 22(4): 630-633
3、J. F. Du, D. Ren, N.K. Huang, Effect of Heating on Hydrogen Retention in C-SiC Coatings, J. Wuhan Univ. Technol., 2008, 23(5): 658-661
4、J. F. Du, S. Q. Yang, D. Ren, et al., Effect of Cu pre-deposition on the interface structure between the C-SiC coatings and stainless steel, Surf. Interface Anal., 2008, 40: 1333-1336
5.、J. F. Du, D. Ren, N.K. Huang, et al., Study in the oxygen contamination on the surface of C–SiC films, Surf. Interface Anal., 2010, 42: 66–69
E-mail:rending2k@scu.edu.cn