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地址:成都市武侯区望江路29号四川大学原子核科学技术研究所内
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刘波,1973年11月出生,工学博士,副研究员,硕士生导师。2008年获西安交通大学材料科学与工程博士学位。2009年4月到四川大学原子核科学技术(720)研究所工作。先后参与国家自然科学基金面上项目、重点项目,国家973计划子项目等科研项目,自2004年以来在 Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., Surf. Coat. Tech., 金属学报, 物理学报等期刊上发表论文10余篇。
主要研究领域:
1、超深亚微米Cu互连低k介质材料的设计与制备
2、超薄Cu互连金属与介质阻挡层设计、制备及表征
3、材料表面能束改性及离子辐照损伤研究
代表性论文或成果:
[1].B. Liu, J.J. Yang, C. H. Liu and Y. Wang, Ultra-thin CuSiN/ p-SiC:H bilayer capping barrier for Cu/ultralow-k dielectric integration[J]. Applied Physics Letters, 2009, 94:153116:1-3.
[2].B. Liu, Z. X. Song, K. W. Xu, An ultra-thin Zr(Ge) alloy film as an exhaustion interlayer combined with Cu(Zr) seed layer for the Cu/porous SiOC:H dielectric integration[J]. Applied Physics Letters, 2008, 93(17):174108:1-3.
[3].B. Liu, Z. X. Song, K. W. Xu, et al. Multilayered metal capping barrier including CuSiN, for sub-65-nm technology nodes[J]. Journal of Applied Physics, 2007, 102:076108.
[4].B. Liu, Z. X. Song, K. W. Xu, et al., The effect of zirconium dopant on the properties of copper films[J]. Surface & Coatings Technology, 2007, 201:5419–5421.
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